不管是NMOS还是PMOS，导通后都会产生导通内阻，这样电流就会在这个内阻上消耗能量，这部分消耗的能量称为导通消耗。选择导通内阻小的MOS管会有效降低导通消耗。目前小功率MOS管的导通内阻一般在几十毫欧左右，几毫欧左右的有。

在MOS管导通和终止过程中，肯定不会在瞬间实现。MOS管两侧的电压将有一个有效降低的环节，流经的电流将有一个上升的环节，在此期间，MOS管的损耗将是电压和电流的乘积，即开关损耗。一般来说，开关损耗要比导通损耗大得多，而且开关频率越快，损耗就越大。

MOS管开关损耗原理图

导通瞬时电压和电流的乘积很大，造成的损耗也很大。减少开关损耗有两种方法，一种是缩短开关时间，能有效地减少每次导通时的损耗；另一种是开关频率，减少单位时间内的开关次数。